Литография высокого разрешения в технологии полупроводников
Страница 19

Рентгеновское и ионно-лучевое экспонирование.

Рентгеновское излучение.

В простейшем случае в рентгеновской (рис. 23) и ионно-лучевой литографии используется теневой шаблон. Недостатки такой схемы связаны с возникновением полутени, обусловленной размерами (неточностью) источника и зазором между шаблоном и пластиной; аналогичные эффекты наблюдаются при использовании диффузного оптического источника в фотолитографии.

Качественная печать обеспечивается при наличии четырех составляющих:

1) высокоинтенсивного коллимированного источника;

2) механического, электрического, оптического или ЭЛ совмещения шаблона с заданной точностью;

3) прецизионного контроля зазора;

4) недорогого мембранного либо трафаретного шаблона.

Искажение, возникающие при облучении шаблона расходящимся пучком (рис. 23), равно Dr/r=Dd/l, где l расстояние между шаблоном и источником, Dd зазор между пластиной и шаблоном (рис. 24). Субмикронная печать обеспечивается при зазоре шаблон пластина порядка 1 мкм. Искривления пластины, возникающие в ходе многих стандартных технологических процессов, делает такой зазор трудно достижимым.

.

Рис. 23. Эффект полутени в рентгеновской теневой печати, обусловленный недостаточной коллимацией пучка,

Ошибки, связанные с зазором, можно отчасти устранить, если перейти к пошаговому экспонированию либо повысить чувствительность резиста до 1 мДж/см2, что позволит удалить источник излучения от пластины. Главные трудности связаны с термостабильностью шаблона, так как нагрев шаблона экспонирующем излучением приводит к изменению размеров элементов в плане и ошибкам совмещения.

Из-за малого поглощения время рентгеновского экспонирования чрезвычайно велико. Первыми шагами к совершенствованию рентгеновской печати (с зазором) является создание:

1) высокочувствительных резистов;

2) интенсивного источника;

3) точной и надежной системы совмещения;

4) прозрачного и стабильного шаблонов.

Рис. 24. Зависимость ширины проявленной линии от расстояния между поверхностью резиста и рентгеновским шаблоном.

В рентгеновской литографии шаблон при совмещении помещается над пластиной с зазором 10 мкм для увеличения его срока службы. Поскольку длина волны рентгеновского излучения мала, можно пренебречь дифракционными эффектами и оперировать простыми геометрическими представлениями при формировании рисунка на шаблоне. Непрозрачные участки шаблона затеняют пластину под шаблоном, но край тени получается не совсем резким из-за конечных размеров (S) источника рентгеновского излучения (диаметр пятна сфокусированных на аноде электронов),

находящегося на расстоянии D от шаблона. Если зазор между шаблоном и пластиной обозначить через g, то ширина области полутени равна :

s=g(S/D) (29)

Типичные значения: g=20 мкм, S=3 мм, D=30 см. При этом разрешающая способность определяется (1) шириной области полутени s, (2) минимально возможной шириной линии на шаблоне и (3) контрастностью резиста. В высококонтрастных резистах края изображения могут быть существенно более резкими, чем это задается значением s. При увеличении зазора между шаблоном и пластиной уход размера изображения на пластине и время экспонирования возрастают. Чтобы уменьшить боковые искажения в случае точечного источника, использовался шаблон с наклоненными к его центру поглощающими элементами. Мощность обычных источников сравнительно мала:

Страницы: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25