Таблица 3. Сравнение растровой и векторной

сканирующих систем (круглый гауссов луч).

Растровая Векторная

Используется как позитивный, так и негативный резист

Относительно низкая стоимость

Возможно применение луча диаметром 1нм

Низкое быстродействие

Коррекция эффектов близости затруднена

Необходимо применять быстродействующие ЦАП Преимущественно позитивный резист

Необходимы высококачественные отклоняющие системы

Диаметр пятна ограничен

Большее быстродействие, возможно прямое экспонирование на пластине

Коррекция эффектов близости относительно проста

Компактное представление данных

Рис. 18. Путь луча при растровом (слева) и векторном (справа) ЭЛ-экспонировании.

Гауссовы лучи недостаточно интенсивны и требуют перекрытия 4-5 малых пятен для формирования квадрата. Использования луча с сечением фикси-рованной либо переменной прямоугольной формы повышает произво-дительность (рис. 19). Еще большая производительность может быть достигнута проецированием целых фигур в комбинированном растрово-векторном режиме (рис. 20). .

Рис. 19. Экспонирующая ЭЛ-система с прямоугольным лучем переменной формы. 1 - пластины, управляющие формой луча; 2 - вторая квадратная диафрагма; 3 - полученное пятно. Рис. 20. Символьная проекционная ЭЛ-печать. 1 - отклоняющие пластины; 2 - фокус; 3 - символьные апертурные отверстия; 4 - символьная диафрагма; 5 - полученное изображение (сечение луча).

Сокращение времени обработки в случае проекции фигур переменной формы показано на рис. 21, где сравнивается экспонирование гауссовом лучом, лучами постоянной и переменной форм и проецированием фигур. Чем больше одновременно проецируемая область, тем выше производительность. Время переноса изображения в системах с лучом переменной формы в 16-100 раз короче, чем в системах, использующих гауссов луч.

Рис. 21. Число точек изображения, формируемых круглым гауссовым лучем (а), лучем фиксированной квад-ратной формы (б), лучем переменной формы (в) и проецированием фигур (г).

Для топологического рисунка малой плотности, с изреженными окнами, обычно используют позитивный ЭЛ резист, негатив-ный же предпочтительнее, если доминируют области, подлежащие вскрытию.

Литографический прием, позволя-ющий избежать влияния фактора плотности элементов, состоит в контурном экспонировании фигур рисунка с последующим осажде-нием металла, излишки которого удаляются посредством электро-лиза. Эта технология образно названа “каньонной” литографией в связи с очерчиванием некоторых областей рисунка и истреблением промежутков между ними.

Производительность ЭЛ установок складывается из производительности процессов экспонирования, совмещения, перемещения и подготовки топологической информации.

Время прорисовки изображения электронным лучом T равно сумме времени экспонирования te и ожидания tw:

T= te+ tw. (27)

Время tw включает в себя время численных преобразований, передвижения столика, регулировки позиционирования и т.д. Хотя tw не всегда пренебрежимо мало, мы сосредоточимся на главным образом на рассмотрении te. Если луч с плотностью тока j за время t засвечивает одновременно площадь a, то время, необходимое для экспонирования области площадью A, равно: