Описание технологического процесса.

Ниже приведена блок–схема технологического процесса, характеризующая последовательность проведения технологических операций:

Промывка–1. Для промывки полупроводниковых изделий используется ультразвуковая установка УЗУ-0,1, которая состоит из : ультразвуковой ванны и генератора. Промывают полупроводниковые пластины, уложив их в специальную тару(кассету). Моющий раствор (фреон) заливают в ванны перед включением установки. Максимальная температура раствора не должна превышать 80 С. При появлении кавитации полупроводниковые пластины погружают в ванну и промывают. Пластины погруженные во фреон выдерживают 7 минут и частота ультразвуковых колебаний 400 кГц, температура раствора 60 С.

Сушка­–1. Сушка производиться в сушильном шкафу №3 завода «Электродело» при температуре 115± 10 С в течение 25–35 минут. Поддерживается заданная температура терморегулятором, имеющимся в сушильном шкафу, а контролируется ртутным термометром. В процессе сушки в шкаф подается ошушенный и очищенный воздух с точкой россы не выше —50 0С

Контроль чистоты поверхности. Контроль производиться микроскопом, наблюдая в тёмном поле микроскопа светящихся точек (твёрдые загрязнения). Если светящихся точек более 3-х, то передаём изделия на дополнительную потмывку.

Покрытие–1 . Покрытие производиться лаком МК –4У методом окунания. Предварительно наполняется ванна лаком МК–4У. Берётся изделие и погружается в ванну на 7 секунд. После чего в течение 1 минуты необходимо дать стечь излишкам лака. После чего изделие передается на операцию сушки.

Сушка­–2. Сушка производиться в сушильном шкафу №3 завода «Электродело» при температуре 180 С в течение 2 часов. Поддерживается заданная температура терморегулятором, имеющимся в сушильном шкафу, а контролируется ртутным термометром. В процессе сушки в шкаф подается осушенный и очищенный воздух с точкой россы не выше —50 0С