Конструирование и технология производства ЭВАСтраница 2
Таким образом была выбрана серия микросхем К176 (тип логики: дополняющие МОП-структуры). Конкретно были выбраны две микросхемы:
· К176ЛЕ5 - четыре элемента 2ИЛИ-НЕ;
· К176ЛА7 - четыре элемента 2И-НЕ.
| Параметр | К176ЛЕ5 | К176ЛА7 |
|
Входной ток в состоянии “0”, Iвх0, мкА, не менее | -0.1 | -0.1 |
|
Входной ток в состоянии “1”, Iвх1, мкА, не более | 0.1 | 0.1 |
|
Выходное напряжение “0”, Uвых0, В, не более | 0.3 | 0.3 |
|
Выходное напряжение “1”, Uвых1, В, не менее | 8.2 | 8.2 |
|
Ток потребления в состоянии “0”, Iпот0, мкА, не более | 0.3 | 0.3 |
|
Ток потребления в состоянии “1”, Iпот1, мкА, не более | 0.3 | 0.3 |
|
Время задержки распространения сигнала при включении tзд р1,0, нс, не более | 200 | 200 |
|
Время задержки распространения сигнала при включении tзд р0,1, нс, не более | 200 | 200 |
Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации
|
Напряжение источника питания, В | 5 - 10 В |
|
Нагрузочная способность на логическую микросхему, не более | 50 |
|
Выходной ток Iвых0 и Iвых1, мА, не более | 0.5 |
|
Помехоустойчивость, В | 0.9 |
РАСЧЕТ ТЕПЛОВОГО РЕЖИМА БЛОКА
Исходные данные:
|
Размеры блока: |
L1=250 мм L2=180 мм L3=90 мм |
|
Размеры нагретой зоны: |
a1=234 мм a2=170 мм a3=80 мм |
|
Зазоры между нагретой зоной и корпусом |
hн=hв=5 мм |
|
Площадь перфорационных отверстий |
Sп=0 мм2 |
|
Мощность одной ИС |
Pис=0,001 Вт |
|
Температура окружающей среды |
tо=30 оC |
|
Тип корпуса |
Дюраль |
|
Давление воздуха |
p = 1.33 × 104 Па |
|
Материал ПП |
Стеклотекстолит |
|
Толщина ПП |
hпп = 2 мм |
|
Размеры ИС |
с1 = 19.5 мм с2 = 6 мм c3 = 4 мм |