Дифференциальный усилительСтраница 1
Содержание:
1. Техническое задание .3
2. Анализ технического задания 6
3. Выбор материалов, расчет элементов 6
4. Выбор подложки 8
5. Технологический маршрут .8
6. Выбор корпуса ГИС 8
7. Оценка надежности .9
8. Список литературы .11
Задание
на разработку гибридной интегральной микросхемы (ГИС) частного применения.
Дифференциальный усилитель.
Дифференциальный усилитель предназначен для усиления сигналов постоянного тока или в качестве усилителя сигналов низкой частоты.
Схема электрическая принципиальная:
Смотрите на следующей странице (рисунок 1).
|   
 Рисунок 1 : Схема электрическая принципиальная  |  
Технические требования:
Микросхема должна соответствовать общим техническим требованиям и удовлетворять следующим условиям:
– повышенная предельная температура +85°С;
– интервал рабочих температур -20°С .+80°С;
– время работы 8000 часов;
– вибрация с частотой до 100 Гц, минимальное ускорение 4G;
– линейное ускорение до 15G.
Исходные данные для проектирования:
1. Технологический процесс разработать для серийного производства с объёмом выпуска – 18000 штук.
2. Конструкцию ГИС выполнить в соответствии с принципиальной электрической схемой с применением тонкоплёночной технологии в одном корпусе.
3. Значения параметров:
|   Позиционное обозначение:  |    Наименование:  |    Количество:  |    Примечание:  |  
|   R1,R3,R5  |    резистор 4КОм±10%  |    3  |    Р=3,4мВт  |  
|   R2  |    резистор 1,8КОм±10%  |    1  |    Р2=5,8мВт  |  
|   R4  |    резистор 1,7КОм±10%  |    1  |    Р4=2,2мВт  |  
|   R6  |    резистор 5,7ком±10%  |    1  |    Р6=2,6мВт  |  
|   VT1,VT4  |    транзистор КТ318В  |    2  |    Р=8мВт  |  
|   VT2  |    транзистор КТ369А  |    1  |    Р=14мВт  |  
|   VT3  |    транзистор КТ354Б  |    1  |    Р=7мВт  |